易车讯 日前，由红旗研发总院新动力斥地院功率电子斥地部自主蓄意的碳化硅功率芯片完成初次流片。标记着红旗研发已初步建筑支握高性能电动汽车斥地的碳化硅功率芯片蓄意智商，并得胜将半导体行业的Fabless(无晶圆厂)勾通格局引入汽车产物斥地实践。

据先容，该款碳化硅功率芯片从产物中枢算计界说、衬底与外延材料弃取、元胞结构蓄意、动静态性能仿真、工艺仿真、领土蓄意、晶圆流片到晶圆封测，达周至链条主导斥地，标记着红旗车规级碳化硅功率芯片斥地智商大幅耕种。

该款芯片聚焦整车电运转、贤慧补能、车载电源、高压配电、电动化底盘等系统期骗需求，立异聘请低导通电阻元胞结构、高元胞密度领土、高可靠性末端结构及片上栅极电阻集成时候，达成击穿电压跨越1200V，导通电阻小于15mΩ。